《激光与红外杂志》发表论文赏析
作者:宋淑芳
单位:华北光电技术研究所,北京 100015;
摘要:非本征p 型掺杂碲镉汞材料可以有效克服少子寿命偏低等问题,提高长波和甚长波红外焦平面器件的性能。本文重点阐述了As 掺杂实现p型掺杂的基础性原理,以及在器件方面最新研究进展,为今后As掺杂碲镉汞材料的研究提供依据。
关键词:p型掺杂;碲镉汞;红外焦平面
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