偏转角(211)Si基CdTe复合衬底研究
来源：激光与红外杂志2018年第7期北京时间：
作者：王丛
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
摘要：晶面偏角是提高(211) Si基CdTe复合衬底质量的方法之一。通过对偏转角Si基CdTe复合衬底分子束外延工艺的研究,发现2°和3°偏转角(211)Si基CdTe复合衬底在晶体质量方面优于标准(211)Si基CdTe复合衬底,是未来提高Si基CdTe复合衬底质量的新方向。
关键词：硅;碲化镉;偏转角Si衬底;分子束外延
基金资助：国防基础科研计划项目(No.JCKY2016210B002)资助
