nBn型InSb红外器件性能仿真
来源：激光与红外杂志2018年第7期北京时间：
作者：周朋
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
摘要：从能带结构方面分析了InSb nBn结构的势垒层,并使用Sentaurus TCAD软件计算并模拟了改进前后的器件IV性能,仿真结果表明,在势垒层靠近吸收层一侧加入渐变层可以有效改进器件性能。之后模拟仿真了势垒层Al组分、厚度对器件性能的影响。最后根据仿真结果选定结构参数进行实际分子束外延生长,并给出初步的器件结果。
关键词：nBn;InSb;能带;IV特性;Sentaurus TCAD
