Si基双色碲镉汞材料阻挡层生长及表征
来源：激光与红外杂志2018年第8期北京时间：
作者：高达
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
摘要：报道了Si基中短波双色碲镉汞(MCT)的最新研究进展。阻挡层的生长与表征是获得材料参数精确控制、晶体质量良好的Si基中短波双色HgCdTe材料关键所在。经过阻挡层生长工艺优化,解决了双色HgCdTe材料缺陷直径较大的问题。缺陷直径控制在10 μm以内,缺陷密度控制在2000 cm-3以内。并使用光致发光技术(PL),得到了不易直接获得的双色HgCdTe材料阻挡层的组分信息。
关键词：HgCdTe;中短波双色;阻挡层
