《激光与红外杂志》发表论文赏析

原位As掺杂p型碲镉汞薄膜的制备研究

来源：激光与红外杂志2018年第12期北京时间：

作者：宋淑芳

单位：华北光电技术研究所,北京 100015；

摘要：非本征p 型掺杂碲镉汞材料可以有效克服少子寿命偏低等问题,提高长波和甚长波红外焦平面器件的性能。本文重点阐述了As 掺杂实现p型掺杂的基础性原理,以及其制备方法,为p-on-n碲镉汞材料器件研究提供依据。

关键词：p型;HgCdTe;As掺杂

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