碲镉汞p型接触孔湿法腐蚀工艺研究
来源：激光与红外杂志2019年第1期北京时间：
作者：陈慧卿
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
摘要：针对碲镉汞芯片p型接触孔湿法腐蚀工艺进行研究,采用不同条件的湿法腐蚀工艺完成碲镉汞p型接触孔制备,通过扫描电子显微镜和激光扫描显微镜分析腐蚀后的接触孔表面形貌,电学接触性能通过伏安特性曲线表征。实验结果表明,传统湿法腐蚀工艺在碲镉汞芯片接触孔制备过程中存在钻蚀严重和均匀性不好等问题,针对以上问题提出了一种超声辅助湿法腐蚀工艺,制备出形貌及均匀性较好的p型接触孔。
关键词：碲镉汞;湿法腐蚀;p型接触孔
