InSb红外探测器芯片粘接工艺研究
来源：激光与红外杂志2019年第1期北京时间：
作者：沈祥伟
单位：中国空空导弹研究院,河南 洛阳 471009；
摘要：基于InSb红外探测器的封装特点,采用正交试验法研究了芯片粘接过程中基板平整度、粘接剂抽真空时间、配胶时间、固化条件等工艺参数对芯片性能及可靠性的影响。通过计算极差和方差分析了各因素对芯片可靠性的影响大小。结果表明,固化条件对粘接后芯片的性能影响最大,其次是配胶时间,而抽真空时间和基板平整度影响相对较小。针对极差分析得出的较优参数组合和较差参数组合,利用X射线衍射(XRD)研究了不同参数组合对晶片粘接的应力大小,所得结果与正交试验一致。
关键词：芯片粘接;正交试验;XRD;应力
