总剂量效应对CMOS读出电路影响及设计加固方法研究
来源：激光与红外杂志2019年第3期北京时间：
作者：李敬国
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
摘要：总剂量效应会对CMOS读出电路的性能产生明显的影响,甚至使CMOS读出电路功能完全失效。本文主要分析了总剂量效应对NMOS器件阈值、漏电流和器件间漏电流的影响机理。随后,针对640×512 CMOS读出电路提出了可行的抗辐照版图设计方法。总剂量试验表明,采用环栅结构、环源结构的640×512读出电路芯片抗总剂量能力可以达到100 krad(Si)以上。
关键词：总剂量效应;读出电路;环源结构;环栅结构 抗辐照
