基于非制冷微测辐射热计的非晶硅锗薄膜电学特性研究

来源：激光与红外杂志2019年第3期北京时间：

作者：陈哲权

单位：南京理工大学机械工程学院,江苏 南京 210094；

摘要：采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD)制备了应用于微测辐射热计的非晶硅锗薄膜(a-SixGey),并研究了不同反应气体流量比GeH4 /SiH4对薄膜电学性能参数(电阻温度系数TCR和电导率)的影响。研究结果表明,随着流量比GeH4 /SiH4的增大,薄膜电阻温度系数降低,电导率则呈现上升趋势。所制备的薄膜表现出了高TCR值(约3.5%/K-1),适中的电导率(1.47×10-3(Ω·cm)-1)和优良的薄膜电阻均匀性(非均匀性<5%),在微测辐射热计热敏材料领域具有良好的应用前景。Abstract:关键词:Key words:

关键词：非晶硅锗薄膜;PECVD;电阻温度系数;电导率;微测辐射热计

基金资助：国家自然科学基金项目(No.51375244)资助