InAs/GaSbⅡ类超晶格电学性能研究
来源：激光与红外杂志2019年第6期北京时间：
作者：邢伟荣
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
摘要：为了提高InAs/GaSb超晶格探测器性能和工作温度,研究了超晶格吸收层载流子输运性能。利用分子束外延在半绝缘GaAs衬底上生长InAs/GaSb超晶格材料,用霍尔测试表征材料电学性能,研究了不同条件,包括退火、束流比和在超晶格不同材料层的掺杂对超晶格电学性能的影响。
关键词：InAs/GaSb;Ⅱ类超晶格;电学性能;霍尔测试
《激光与红外杂志》发表论文赏析
作者：邢伟荣
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
摘要：为了提高InAs/GaSb超晶格探测器性能和工作温度,研究了超晶格吸收层载流子输运性能。利用分子束外延在半绝缘GaAs衬底上生长InAs/GaSb超晶格材料,用霍尔测试表征材料电学性能,研究了不同条件,包括退火、束流比和在超晶格不同材料层的掺杂对超晶格电学性能的影响。
关键词：InAs/GaSb;Ⅱ类超晶格;电学性能;霍尔测试
