基于MBE替代硅衬底的材料综述
来源：激光与红外杂志2020年第6期北京时间：
作者：李震
单位：华北光电技术研究所,北京 100015；
摘要：主要介绍了几种用MBE技术生长HgCdTe/CdTe的Si衬底的替代性衬底材料的基本参数,以及不同材料的最新生长过程及结果,和对它们的生长结果的比较分析,以此来选择较为适合替代Si衬底来生长HgCdTe/CdTe的衬底。本文通过一系列的对比,得出目前最有发展前景的替代衬底是GaSb衬底,是未来发展的方向。
关键词：MBE;衬底;CdZnTe;HgCdTe;CdTe
