光刻工艺对大面阵长波碲镉汞芯片性能的影响
来源：激光与红外杂志2021年第2期北京时间：
作者：张轶
单位：1.华北光电技术研究所,北京 100015；2.空军装备部驻北京地区第七军事代表室,北京 100015；
摘要：通过分析器件工艺对大面阵长波碲镉汞芯片性能的影响,发现光刻工艺非均匀性累积进而显著影响碲镉汞芯片性能的现象。应用Matlab仿真计算,定量分析了碲镉汞材料片表面凸点对不同线宽光刻工艺非均匀性的影响,提出了降低光刻工艺非均匀性累积的方法和高质量光刻工艺对碲镉汞材料平坦度的具体要求。
关键词：长波碲镉汞;接触式光刻;光刻工艺非均匀性;Matlab仿真
