外接电容对脉冲激光辐照Si-APD时的温升影响

来源：激光与红外杂志2021年第4期北京时间：

作者：陈良

单位：长春理工大学 吉林省固体激光技术及其应用重点实验室,吉林 长春 130022；

摘要：硅基雪崩光电二极管(Si-APD)在实际应用中通常需要串联电容来滤除直流信号分量,以便于后续电路对脉冲信号进行提取和放大。另外,Si-APD吸收激光能量后往往导致自身的温升而影响了探测性能。基于此,本论文首次建立了毫秒脉冲激光辐照外接电容电路中Si-APD的热传导模型,并据此对Si-APD的表面温升特性开展了模拟仿真和实验研究。结果表明由于外接电容对回路中电流的阻碍作用,降低了Si-APD中p-n结内部的焦耳热,从而使得外接电容条件下的Si-APD表面温升小于无外接电容的情况,并且电容越小,Si-APD的温升越低。

关键词：外接电容;Si-APD;p-n结;焦耳热

基金资助：国家自然科学基金项目(No.61805024)资助