PECVD法制备SiO2膜均匀性研究
来源：激光与红外杂志2021年第10期北京时间：
作者：龙长林
单位：中国电子科技集团公司第四十八研究所,湖南 长沙 410205；
摘要：针对半导体产业对氧化硅薄膜的需求,介绍了采用自制的PECVD设备研究了SiO2薄膜生长的膜厚均匀性分别与喷淋板孔结构和工艺参数之间的关系。实验结果表明:在结构方面,SiO2薄膜均匀性主要受到喷淋板孔径大小与结构的影响；在工艺参数方面,SiO2薄膜的膜厚均匀性主要受到反应腔室压力的影响。通过结构和工艺参数的综合调整,制备出了膜厚均匀性好的SiO2薄膜。
关键词：PECVD;SiO2薄膜;喷淋板;均匀性
