分子束外延HgTe/CdTe超晶格工艺研究
来源：激光与红外杂志2023年第9期北京时间：
作者：高达
单位：1.华北光电技术研究所,北京 100015；2.重庆嘉陵华光光电科技有限公司,重庆 400700；
摘要：报道了分子束外延生长HgTe/CdTe超晶格结构相关技术。采用HgTe/CdTe超晶格结构进行As掺杂是降低As掺杂元素激活温度的技术路径之一。本文采用分子束外延技术在3 in硅衬底上获得了HgTe/CdTe超晶格结构材料,并采用250℃低温退火获得了激活的原位As掺杂碲镉汞材料。
关键词：分子束外延;碲镉汞;HgTe/CdTe超晶格
