基于正向测温的碲镉汞分子束外延生长研究

来源：激光与红外杂志2026年第3期北京时间：

作者：孙宏利，折伟林，王丹，管崇尚

单位：中国电子科技集团公司第十一研究所，北京 100015；

摘要：利用分子束外延技术生长的碲镉汞半导体材料在第三代红外焦平面探测器领域具有广阔的应用前景。在材料生长过程中，维持稳定的表面温度是实现高质量碲镉汞单晶薄膜的关键。本文介绍了Bandit正向测温系统在分子束外延碲锌镉基碲镉汞工艺开发中的应用。利用该测温系统实现了对碲锌镉基碲镉汞生长过程中表面温度变化的实时监控，提高了工艺开发效率，并进一步获得了碲锌镉基碲镉汞材料的最佳生长条件。最终生长出高晶格质量低缺陷密度的碲镉汞材料，工艺重复性良好，大于2μm的缺陷密度控制在200cm-2以内。

关键词：碲锌镉;碲镉汞;分子束外延;表面温度监控