1.55μm单光子源用Si/SiO2-InP微柱腔的鲁棒性研究

来源：激光技术杂志2020年第5期北京时间：

作者：黄帅, 张伟, 席琪, 赵新华, 谢修敏, 徐强, 周强, 宋海智

摘要：为了评估实际制备中工艺偏差对此前设计的Si/SiO2-InP微柱腔性能的影响，采用了基于有限时域差分法的模拟仿真，从工艺缺陷以及工艺误差两个角度，模拟了非理想工艺条件对Si/SiO2-InP微柱腔性能的影响。结果表明，在目前可达到的加工精度下，如椭圆因子为0.1、锥形侧壁角度为3°、尺寸误差为5%，Si/SiO2-InP微柱腔仍能保持满足应用需求的性能，证明了设计的1.55μm量子点单光子源有很高的鲁棒性。该研究为通信波段单光子源提供了切实可行的方案。

关键词：光学器件, 鲁棒性, 有限时域差分法, 微腔, 单光子源, 通信波段