《激光技术杂志》发表论文赏析
作者:徐贵勇, 胡立发, 邓灿冉, 张士勋, 楚广勇
摘要:为了分析并精确预测半导体光放大器的性能, 对InP-InGaAsP均匀掩埋的半导体光放大器建立了一种有效的数学模型, 考虑了自发辐射与受激辐射之间的关系, 实时模拟分析了偏置电流、输入功率对增益和噪声指数的影响。结果表明, 在偏置电流为120mA、输入功率为-10dBm时, 半导体光放大器的性能最佳。该模型能够对半导体光放大器的设计提供一定的借鉴。
关键词:光通信, 半导体光放大器模型, 噪声指数, 增益
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