脉冲激光诱导石墨等离子体羽辉特性研究

来源：激光技术杂志2018年第6期北京时间：

作者：周素素, 王新兵, 尹培琪, 左都罗

摘要：为了研究C2的演化规律，采用增强型电荷耦合器件（ICDD）直接成像法，通过Nd:YAG激光器烧蚀石墨靶，使用窄带通滤波片分辨出C2和C+的发射位置，研究了在不同空气压力条件下，脉冲激光诱导石墨等离子体中C2和C+的发射特性。当空气气压为10-2Pa和3Pa时，C2发射峰值位于靶材附近，此时C2的形成主要为靶材的直接发射；气压增大至50Pa时，由于气相重组反应加强，等离子体前端出现另一个C2的发射峰值，其峰值位置与C+一致，并且其逐渐占C2发射的主导地位，此时C2的形成主要来源于重组反应，C+发射光强要大于C2；当气压进一步增大至130Pa时，气相重组反应增加，在等离子体前端出现C2的发射强度增强，在1.3μs之后，C2的发射强度大于C+。结果表明，随着气压的变化，C2的发射峰值位置和强度发生明显变化。这一结果对碳等离子体沉积碳纳米材料原理研究是有帮助的。

关键词：激光技术, 碳等离子体羽辉, 增强型CCD成像, C2自由基