AlGaInAs/InP应变补偿多量子阱激光器

来源：激光技术杂志2017年第5期北京时间：

作者：朱天雄, 贾华宇, 李灯熬, 罗飚, 刘应军, 田彦婷

摘要：为了优化在长距离光纤通讯系统中采用的1.31μm波长的量子阱激光器，对AlGaInAs/InP材料的有源区应变补偿的量子阱激光器进行了设计研究。采用应变补偿的方法，根据克龙尼克-潘纳模型理论计算出量子阱的能带结构，设计出有源区由1.12%的压应变AlGaInAs阱层和0.4%的张应变AlGaInAs垒层构成。使用ALDS软件对所设计出的器件进行了建模仿真，对其进行了阈值分析和稳态分析。结果表明，在室温25℃下，该激光器具有9mA的低阈值电流和0.4W/A较高的单面斜率效率；在势垒层采用与势阱层应变相反的适当应变，可以降低生长过程中的平均应变量，保证有源区良好的生长，改善量子阱结构的能带结构，提高对载流子的限制能力，降低阈值电流，提高饱和功率，改善器件的性能。

关键词：激光器, 量子阱结构, 应变补偿, AlGaInAs/InP