两种磁流变阻尼器的结构设计与性能分析
来源：机床与液压杂志2016年第3期北京时间：
作者：祝世兴
单位：中国民航大学航空工程学院；中国民航大学航空工程学院
摘要：针对传统磁流变（MR）阻尼器阻尼通道利用率低的问题，提出了两种磁路结构的优化设计方案。运用ANSYS软件对这两种MR阻尼器的磁路结构进行二维电磁场有限元仿真，分析结果表明两种MR阻尼器磁路结构设计切实可行。采用Bingham模型对两种阻尼器输出力进行预估并得到不同工作状态下的力-速度曲线，结果表明:由于增加了阻尼通道的有效长度，两种改进的阻尼器比活塞尺寸相同的传统阻尼器的最大出力提高1倍以上。
关键词：磁流变阻尼器;磁路结构;Bingham模型;阻尼通道
基金资助：国家自然科学基金资助项目（61172013）
