光照强度和掺杂浓度对n-PS形貌和电化学行为影响

来源：化学通报杂志2015年第1期北京时间：

作者：赵景勇,闫康平,薛娱静,孙羽涵

摘要：测试分析了光照强度和掺杂浓度对n型硅电极电化学特性的影响，采用电化学阳极腐蚀法在光照辅助下制备多孔硅（n-PS），通过扫描电子显微镜（SEM）研究掺杂浓度对n-PS表面微观形貌的影响，通过积分球测试仪测试研究了多孔硅对光的反射率。结果表明：对于n型硅，光照是激发空穴的必要手段，光照强度越强，硅/电解液界面的电荷转移阻抗越小，更利于反应的进行；掺杂浓度越高，电化学极化阻力越小，促进PS孔密度增加。本实验条件下，形成的多孔硅是微米级孔，随着掺杂浓度的增加，形成的多孔硅孔径越小，孔深存在一个极值；电阻率为0.35Ω?cm的硅片拥有最大的孔深13μm；多孔硅的孔结构大大提升了硅基对光子的捕获能力，相比于单晶硅，在可见-近红外范围，电阻率为0.0047Ω?cm的硅片制备的多孔硅对光的反射率已经从30%降低到了5%。

关键词：电化学特性 n型多孔硅 掺杂浓度 光照强度 反射率,