盐酸环丙沙星分子印迹电化学传感器

来源：化学通报杂志2016年第1期北京时间：

作者：闫长领,张春朵,樊宏哲,陈玉娟,李金,刘珣,王公轲

摘要：本文将电化学合成与分子印迹技术相结合，采用循环伏安法在石墨电极表面，形成盐酸环丙沙星（CPX）分子印迹聚吡咯薄膜，制备了CPX分子印迹传感器。实验对传感器的制备条件进行了优化，用铁氰化钾作为活性电子探针，采用方波伏安法，研究了传感器性能。结果表明，在1×10-8—1×10-4 mol/L范围内，峰电流与CPX浓度负对数呈良好的线性关系，检出限（S/N=3）为3.5×10-9 mol/L。传感器对模板分子CPX选择性强，重现性和稳定性好，置于室温下15天峰电流强度无明显变化。

关键词：分子印迹,盐酸环丙沙星,吡咯,电化学传感器,

基金资助：国家自然科学基金项目(21303044, 21173071, 21303043)和高等学校重点科研项目(15A150058)资助