类石墨烯二硫化钨薄膜的化学气相沉积法制备及其应用

来源：化学进展杂志2015年第11期北京时间：

作者：尤运城, 曾甜, 刘劲松, 胡廷松, 台国安

单位：1. 南京航空航天大学航空宇航学院 机械结构与控制国家重点实验室 纳智能材料器件教育部重点实验室和纳米科学研究所 南京 210016;<br />\r\n2. 南京航空航天大学材料科学与技术学院 南京 210016

摘要：类石墨烯过渡金属硫属化合物如MoS2、WS2、MoSe2、WSe2等因为具有层数依赖的带隙结构而受到了广泛关注。尤其是本征态的WS2为双极性半导体,它同时具有n型和p型电输运特性,有望在电子电路、存储器件、光电探测和光伏器件方面得以广泛应用。近年来,化学气相沉积技术已经被广泛用于制备大面积二维硫属化合物(如MoS2, MoSe2, WS2 和WSe2)原子层薄膜。目前关于其他二维材料体系的综述文献介绍较多,但是针对WS2介绍的综述文献还鲜有报道。因此,本文综述了类石墨烯WS2薄膜的化学气相沉积法制备和相关器件的国内外研究进展,讨论了WS2薄膜的化学气相沉积法制备机理及生长因素如硫粉含量、载气的成分、反应温度、基底材料等对薄膜成膜质量的影响,介绍了WS2薄膜在晶体管、光电器件及与其他二维材料构成的异质结构器件的最新研究成果,并对可能存在的问题进行了分析和述评。

关键词：WS2薄膜,化学气相沉积法,晶体管,异质结构,光电器件

基金资助：南京航空航天大学基本科研业务费(No.NS2013095)资助