纳米二氧化硅致Nrf-2基因缺陷人永生化表皮细胞氧化损伤的研究

来源：环境与职业医学杂志 2017年第6期北京时间：

作者：陶功华, 肖萍, 孙静秋, 娄丹, 霍倩, 王彦琴, 李晨, 仲伟鉴, 帅怡,

摘要：目的 探讨纳米二氧化硅(nano-SiO2)致核因子E2相关因子2(Nrf-2)基因缺陷型人永生化表皮细胞的氧化应激损伤效应。 方法 采用RNA干扰技术构建人永生化表皮细胞(HaCaT)Nrf-2基因缺陷细胞模型，以终质量浓度(后称浓度)为2.5、5.0、10.0 mg/L的nano-SiO2(15 nm粒径)分别染毒HaCaT细胞和Nrf-2基因缺陷细胞24 h，检测细胞内活性氧(ROS)、8-羟化脱氧鸟苷(8-oHdG)、丙二醛(MDA)、总超氧化物歧化酶(T-SOD)和谷胱甘肽过氧化物酶(GSH-Px)等氧化应激指标，并对细胞总蛋白和核蛋白中Nrf-2蛋白的表达水平进行分析。 结果 5.0、10.0 mg/L nano-SiO2可引起HaCaT细胞的活力明显降低(P＜0.05)，而2.5 mg/L nano-SiO2开始即可引起Nrf-2基因缺陷细胞活力呈剂量依赖性降低(r=-0.914，P Nrf-2基因缺陷细胞的活力均明显低于同浓度组的HaCaT细胞(P＜0.05)。各浓度组细胞内ROS、8-oHdG和MDA水平均呈剂量依赖性增高，而T-SOD和GSH-Px的含量则呈剂量依赖性降低；与同浓度组HaCaT细胞相比，Nrf-2基因缺陷细胞中相关指标的变异程度更大，差异有统计学意义(P＜0.05)。正常HaCaT细胞中，低剂量组总Nrf-2蛋白和低、中剂量组核Nrf-2蛋白的表达水平增高(P＜0.05)；而随着nano-SiO2暴露浓度的进一步增高，两种蛋白的表达水平又呈降低的趋势。与HaCaT细胞的阴性对照比较，Nrf-2基因缺陷细胞中总Nrf-2蛋白表达水平下降，核Nrf-2蛋白表达水平未见差异。 结论 5.0 mg/L nano-SiO2可体外诱导HaCaT细胞发生氧化应激性损伤，Nrf-2基因缺陷可通过改变细胞的抗氧化防御能力，增加HaCaT细胞对nano-SiO2的敏感性。

关键词：核因子E2相关因子2, 纳米二氧化硅, 人永生化表皮细胞, 氧化应激,