Al/CuO复合半导体桥静电安全性研究
来源：火工品杂志2015年第1期北京时间：
作者：王 榴
单位：南京理工大学化工学院
摘要：为了研究Al/CuO复合半导体桥（简称Al/CuO-SCB）的静电安全性，分别对不同桥型的Al/CuO-SCB进行静电放电实验及研究。结果发现：在500pF、5kΩ、25kV静电放电条件下，不同桥型的Al/CuO-SCB均未发火；小尺寸的Al/CuO-SCB在相同静电作用下桥膜容易受到损伤，并且经过静电放电后的Al/CuO-SCB的爆发时间和爆发所需能量均没有发生显著性差异。比较Al/CuO-SCB和未加Al/CuO含能薄膜层的半导体桥静电实验结果，得出Al/CuO含能薄膜层没有影响半导体桥的静电安全性。
关键词：半导体桥;Al/CuO纳米复合薄膜;静电安全;电爆参数
