C3N带隙调控的第一性原理研究
来源：华东师范大学学报·哲学社会科学版杂志2022年第4期北京时间：
作者：赵威, 袁清红
摘要：采用基于密度泛函理论 (Density Functional Theory, DFT) 的第一性原理计算, 研究了堆垛方式、层数及外加电场对C3N的带隙调控. 考察了AA-1型、 AA-2型、 AB-1型和AB-2型这4种堆垛结构, 计算表明, AB-2型堆垛结构能量最为有利. 通过HSE06杂化泛函对带隙进行了精确计算, 发现AA型堆垛与AB型堆垛的双层C3N存在较大的带隙差异, AA型堆垛结构的带隙要明显小于AB型堆垛结构. 此外, 还发现C3N的带隙可由单层的1.21 eV调控到体相的0.69 eV; 通过施加外加垂直电场, 可以将具有AB-2型堆垛结构的双层、三层和四层C3N半导体调控为趋于零带隙的金属.
关键词：第一性原理计算,C3N,堆垛,带隙调控,
基金资助：国家自然科学基金(21673075)
