二维过渡金属硫化物中Rashba自旋轨道耦合效应的电场调控研究

来源：华东师范大学学报·哲学社会科学版杂志2018年第2期北京时间：

作者：姚群芳, 蔡佳, 龚士静

单位：姚群芳,女,硕士研究生,研究方向为自旋电子学.E-mail:qfyao1175@163.com.

摘要：本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，对6种二维过渡金属硫化物MX2（M=Mo，W；X=S，Se，Te）中的Rashba自旋轨道耦合效应进行了系统研究.对6种MX2材料施加垂直方向电场，发现阴离子X对于电场诱导的Rashba自旋轨道耦合效应起主要作用：X原子序数越大，电场诱导的Rashba劈裂也越大；阳离子M被阴离子X覆盖，对电场诱导的Rashba自旋劈裂影响较弱.因此，6种MX2单层的Rashba自旋劈裂大小依次为：WTe2 > MoTe2 > WSe2 > MoSe2 > WS2 > MoS2.施加电场后，从布里渊区中心Γ点到布里渊区边界K/K'点，自旋方向二维平面内转向垂直方向，并且随着电场的增加，面内自旋成分逐渐增加.

关键词：二维过渡金属硫化物,Rashba自旋轨道耦合,第一性原理计算,

基金资助：上海市自然科学基金（14ZR1412700）；国家自然科学基金（61774059）