SiC晶须对反应合成多孔TiB<sub>2</sub>-TiC复合材料的影响
来源：复合材料学报杂志2016年第4期北京时间：
作者：张艳凤, 崔洪芝, 宋晓杰, 张珊珊, 魏娜, 王珂,
摘要：以Ti、B<sub>4</sub>C和SiC晶须(SiC<sub>w</sub>)为原料,采用自蔓延高温合成法制备了多孔TiB<sub>2</sub>-TiC复合材料。讨论了SiC<sub>w</sub>含量对TiB<sub>2</sub>-TiC复合材料物相、组织形貌、孔隙率和抗压强度的影响。结果表明:不添加SiC<sub>w</sub>时,复合材料中主要物相为贫硼相TiB和Ti<sub>3</sub>B<sub>4</sub>以及TiC和少量TiB<sub>2</sub>;在5Ti+B<sub>4</sub>C体系中加入SiC<sub>w</sub>后,贫硼相TiB和Ti<sub>3</sub>B<sub>4</sub>逐渐减少直至消失,而出现富硼相TiB<sub>2</sub>和TiC的含量增加。随着SiC<sub>w</sub>含量的增加,复合材料的孔隙率逐渐增加,由38.46%增加至52.78%。当SiC<sub>w</sub>含量小于1.0时,随着SiC<sub>w</sub>含量的增加,多孔TiB<sub>2</sub>-TiC复合材料的抗压强度明显增加,当SiC<sub>w</sub>含量为1.0时,复合材料的抗压强度达到最大值56.04 MPa。Ti与SiC<sub>w</sub>反应会生成TiC、Ti<sub>3</sub>SiC<sub>2</sub>和TiSi<sub>2</sub>等物相,消耗一定量的Ti,使得与B<sub>4</sub>C反应的Ti量减少,从而促进富硼相TiB<sub>2</sub>形成和TiC的增多。并且在SiC<sub>w</sub>表面形成颗粒状TiC或者层片状Ti<sub>3</sub>SiC<sub>2</sub>,增加SiC<sub>w</sub>与TiB<sub>2</sub>-TiC基体之间的结合,更有利于发挥SiC<sub>w</sub>的强化作用。
关键词：TiB<sub>2</sub>-TiC, SiC<sub>w</sub>, 多孔复合材料, 反应合成, 自蔓延高温合成法,
