V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>与Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合改性CaSiO<sub>3</sub>陶瓷的烧结性能与微波介电性能
来源：复合材料学报杂志2016年第2期北京时间：
作者：汤雨诗, 马晓飞, 李登豪, 王焕平, 雷若姗, 杨清华, 徐时清,
摘要：为降低CaSiO<sub>3</sub>陶瓷的烧结温度, 通过在CaSiO<sub>3</sub>粉体中添加1wt%的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>以及不同量的V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>, 探讨了V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>添加量对CaSiO<sub>3</sub>陶瓷烧结性能、微观结构及微波介电性能的影响规律。结果表明:适量地添加V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>除了能将V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/CaSiO<sub>3</sub>陶瓷的烧结温度从1 250 ℃降低至1 000 ℃外, 还能抑制CaSiO<sub>3</sub>陶瓷晶粒异常长大并细化陶瓷晶粒。在烧结过程中, V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>将熔化并以液相润湿作用促进CaSiO<sub>3</sub>陶瓷的致密化进程;同时, 部分V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>还会挥发, 未挥发完全的V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>将与基体材料反应生成第二相, 第二相的出现将大幅降低陶瓷的品质因数。综合考虑陶瓷的烧结性能与微波介电性能, 当V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>添加量为6wt%时, V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/CaSiO<sub>3</sub>陶瓷在1 075 ℃下烧结2 h后具有良好的综合性能, 其介电常数为7.38, 品质因数为21 218 GHz。
关键词：陶瓷基复合材料, 电性能, 烧结, 微波介电性能, CaSiO<sub>3</sub>, V<sub>2</sub>O<sub>5</sub>,
