SiC<sub>P</sub>/Al基复合材料在等径角挤扭变形中的界面原子扩散行为
来源：复合材料学报杂志2016年第2期北京时间：
作者：马俊林, 钱陈豪, 李萍, 薛克敏,
摘要：为了研究金属基复合材料在剧烈塑性变形(SPD)过程中增强颗粒与金属基体的界面连接机制, 通过等径角挤扭(ECAP-T)工艺在较低温度下制备块状10wt% SiC<sub>P</sub>/Al基复合材料, 并对经过1、2和4道次ECAP-T变形的SiC颗粒与纯Al之间的界面反应以及元素扩散进行了研究。通过TEM和XPS研究了界面和元素扩散, 结果表明:即使在较低的外界制备温度下, Al和SiC颗粒表面的SiO<sub>2</sub>层也能够发生反应, 形成主要由Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>组成的界面层。相比理论计算值, ECAP-T变形可以将Al的扩散系数提高约10<sup>16</sup>倍, 增强扩散的原因主要是ECAP-T变形促使界面温度升高, 且在铝基体内产生空位、位错和晶界等高密度晶格缺陷。
关键词：等径角挤扭, SiC<sub>P</sub>/Al基, 界面反应, 扩散系数, 晶格缺陷,
