Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>原位增强Cu基复合材料的制备
来源：复合材料学报杂志2015年第2期北京时间：
作者：徐玉松, 李鹏, 靳翠平,
摘要：采用感应炉熔炼及水雾化工艺制得了Cu-Si合金粉末, 经N<sub>2</sub>、 H<sub>2</sub>混合气体选择氮化和真空放电等离子烧结(SPS)成型, 制备得到了Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>原位增强Cu基复合材料(Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/Cu), 利用萃取法研究了选择性氮化产物及其晶体结构。结果表明: 复合粉末中N含量随氮化温度的升高和氮化时间的延长而增大。在1 000 ℃下氮化, 持续时间大于60 h时, 粉末中的N含量明显提高;Cu的衍射峰出现整体向大角度方向的明显偏移, 同时晶格常数变小, 表明Si从Cu基体中脱溶, 与N反应生成Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>; Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/Cu复合材料的增强体以β-Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>为主;随着氮化温度的升高和氮化时间的延长, Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>/Cu复合材料的电导率和硬度逐步提高。
关键词：复合材料, Cu基, 原位增强, Si<sub>3</sub>N<sub>4</sub>, 制备,
