一种-100 dB电源抑制比的非带隙基准电压源

来源：电子与信息学报杂志2016年第8期北京时间：

作者：黄国城, 尹韬, 朱渊明, 许晓冬, 张亚朝, 杨海钢

单位：2.(中国科学院电子学研究所 北京 100190) ②(中国科学院大学 北京 100190)

摘要：该文提出一种非带隙基准电路，通过一个带超级源极跟随器的预调制电路提供一个稳定的电压，为基准核心电路供电。超级源极跟随器通过降低基准核心电路电源端的对地阻抗，有效提高了基准电路的电源抑制能力。该基准电路采用0.35 m CMOS 工艺设计并流片，测试结果表明，该电路的工作电源电压为1.8~5 V，静态电流约为13 A。低频处电源抑制比(PSRR)约等于-100 dB，在小于1 kHz频率范围内PSRR均优于-93 dB。并且其片上面积仅为0.013 mm2。

关键词：CMOS基准电路, 非带隙基准电路, 预调制电路, 超级源极跟随器, 电源抑制比

基金资助：国家自然科学基金(61474120)，国家重点基础研究发展计划(2014CB744600)