基于缩短极化码的MLC NAND Flash差错控制技术研究

来源：电子与信息学报杂志2017年第7期北京时间：

作者：郭锐, 王美洁, 王杰

摘要：为了提高MLC NAND Flash的抗误码性能，该文提出一种基于优化缩短极化码的MLC NAND Flash差错控制方法。优化缩短极化码通过优化删减图样得到，首先通过比特翻转重排序的方式得到基本删减图样，进而选择具有更低信道容量的冻结比特组成优化删减图样，使得到的删减比特全为冻结比特，可以显著提高删减算法的纠错性能。同时，根据MLC单元错误的不对称性，采用码率自适应的码字对FLASH中MSB和LSB进行不等错误保护。仿真结果表明：当误帧率为10-3时，优化缩短极化码较相同码长的LDPC码和基本缩短极化码分别约有 3.72 ~5.89 dB和1.47~3.49 dB增益；相比基于同一码率的优化缩短极化码方案，不等错误保护的差错控制方案获得约0.25 dB增益。

关键词：极化码, 多层单元, NAND Flash, 缩短码, 不等错误保护

基金资助：浙江省自然科学基金(LY16F010013)，浙江省重点科技创新团队基金(2013TD03)，国家自然科学基金(61401130)