考虑偏置温度不稳定性的软差错率分析

来源：电子与信息学报杂志2017年第7期北京时间：

作者：王真, 江建慧, 陈乃金

摘要：纳米工艺下，老化效应与软差错共同引发的集成电路可靠性问题至关重要。该文分析偏置温度不稳定性(BTI)，包括负偏置温度不稳定性(NBTI)和正偏置温度不稳定性(PBTI)对软差错率的影响，提出从关键电荷值和延迟两个因素综合考虑。首先分析BTI效应下两个因素如何变化，推导了延迟受BTI影响的变化模型，介绍关键电荷的变化机理。然后探讨将两个因素结合到软差错率(SER)评估中，推导了融入关键电荷值的SER计算模型，提出将延迟的变化导入到电气屏蔽中的方法。基于ISCAS89基准电路上的实验验证了综合两种因素考虑BTI效应评估SER的有效性和准确性。

关键词：集成电路, 偏置温度不稳定性, 软差错率, 关键电荷值, 延迟

基金资助：国家自然科学基金(61432017, 61404092)，上海电力学院人才启动基金(K-2013-017)，上海高校青年教师资助计划项目(Z2015-074)，上海市科委地方能力建设项目(15110500700)