射频低噪声放大器提高三阶交截点方法探讨

来源：电子与信息学报杂志2023年第1期北京时间：

作者：赵巾翔, 汪峰, 于汉超, 王魁松, 张胜利, 梁晓新, 阎跃鹏

单位：1.中国科学院微电子研究所 北京 1000292.中国科学院大学微电子学院 北京 1000493.中国科学院重大科技任务局 北京 1008644.中国科学院前沿科学与教育局 北京 1008645.北京市新一代通信射频芯片技术重点实验室 北京 100020

摘要：随着现代通信技术的进步，特别是4G,5G等无线移动通信的高速发展，多正交振幅调制(QAM)等高频谱利用率的调制方式得到广泛应用，对无线通信系统提出了更高、更严格的线性要求。射频低噪声放大器(RF LNA)作为射频前端(RF FEM)的第1个有源器件，其非线性特征直接影响系统的信号质量和动态范围。以3阶交调为例，低噪声放大器需要足够的输入3阶交截点，以确保即使在强干扰信号下也能提供预期的性能。基于3阶非线性模型，该文简要分析了3阶交调的理论模型，梳理了提高3阶交截点的方法，归纳研究了近年来相关的研究成果与进展，并展望了未来的发展趋势。

关键词：无线通信, 射频低噪声放大器, 高线性, 3阶交截点

基金资助：国家重点研发计划(E0G928C001)