基于双曲函数的通用型荷控忆阻器电路等效模型分析

来源：电子与信息学报杂志2023年第2期北京时间：

作者：孙军伟, 杨建领, 刘鹏, 王延峰

单位：郑州轻工业大学电气信息工程学院 郑州 450000

摘要：目前，忆阻器模拟器的研究主要集中在磁控忆阻器，对荷控忆阻器模拟器的研究不多，双曲函数型的荷控忆阻器模拟器也很少涉及。因此，该文提出一种基于双曲函数的通用型荷控忆阻器模拟器。模拟器通过电压-电流的相互转换电路，实现电路中电压和电流信号之间的相互转换，再通过电路中对应的电路模块对产生的信号进行计算，最终得到通用型双曲荷控忆阻器模型。模拟器能够实现双曲正弦、双曲余弦以及双曲正切函数对应的荷控忆阻器模型。通用型双曲函数荷控忆阻器模拟器对应的等效电路，主要由运算放大器、电阻、电容、三极管等基本元件组成。分析模拟器在不同幅值以及不同频率的输入信号下的伏安特性曲线，得出荷控忆阻器模拟器符合记忆元件的基本特性。该文提出的通用型双曲函数荷控忆阻器模型，对忆阻器模型的发展具有一定的参考意义。

关键词：荷控忆阻器, 电路模型, 双曲函数, 伏安特性曲线

基金资助：国家自然科学基金河南联合基金重点项目(U1804262)，中原青年拔尖人才项目(ZYYCYU202012154)，河南省教育厅科技创人才支持项目(20HASTIT027)