反演光刻技术的研究进展

来源：电子与信息学报杂志2025年第1期北京时间：

作者：艾飞, 苏晓菁, 韦亚一

单位：1.中国科学院大学集成电路学院 北京 1000492.中国科学院微电子研究所 北京 100029

摘要：反演光刻技术(ILT)相比传统的光学临近效应修正(OPC)，生成的掩模具有成像效果更好，工艺窗口更大等优点，在当前芯片制造的工艺尺寸不断减小的背景下，逐渐成为主流的光刻掩模修正技术。该文首先介绍了反演光刻算法的基本原理和几种主流实现方法；其次，调研了当前反演光刻技术应用在光刻掩模优化问题上的研究进展，分析了反演光刻技术的优势和存在的问题。以希望为计算光刻及相关研究领域的研究人员提供参考，为我国先进集成电路产业的发展提供技术支持。

关键词：先进集成电路技术, 反演光刻技术, 光学临近效应修正, 掩模优化, 研究进展

基金资助：国家自然科学基金 (62204257)，中央高校基本科研业务费专项资金(E3E43802)，中国科学院青促会项目(2021115)