近场效应残差分离的高精度暗室大孔径阵列校正方法

来源：电子与信息学报杂志2025年第7期北京时间：

作者：徐利兵, 刘恺忻

单位：中国电子科技集团公司第二十九研究所 成都 610036

摘要：针对暗室近场信号模型且校正源位置存在误差情况下，校正精度低的问题，该文提出一种近场效应残差分离的高精度暗室大孔径阵列校正方法。该方法先后利用近场相位反补偿技术、标称坐标位置下的阵列幅相误差估计技术，估计受校正源位置误差影响的低精度阵列误差估计结果。然后利用近场相位残差分离技术，去除由校正源位置误差引起的近场效应相位残差，获得高精度阵列误差估计结果。仿真结果表明，该方法有效提升阵列校正性能，提升目标测向精度，并且对校正源位置坐标误差和大阵列孔径有较高的容忍度。相比于现有有源阵列校正算法，当信号频率高，阵列孔径较大时，该方法在空间有限的暗室中能够获得更良好的校正性能。

关键词：近场阵列校正, 幅度相位误差, 校正源位置误差, 目标测向