MOS管选通的硅通孔键合前测试

来源：电子与信息学报杂志2025年第9期北京时间：

作者：窦贤锐, 梁华国, 黄正峰, 鲁迎春, 陈田, 刘军

单位：1.合肥工业大学微电子学院 合肥 2306012.合肥工业大学计算机与信息学院(人工智能学院) 合肥 230601

摘要：在集成芯片的制造过程中，硅通孔(TSV)中可能会出现许多缺陷，这些缺陷会影响通过硅通孔信号的完整性，因此在早期生产阶段检测这些缺陷至关重要。现有的测试方法存在测试面积和时间开销大、测试精度低的问题。该文选择N型金属氧化物半导体场效应管(NMOS)和P型金属氧化物半导体场效应管(PMOS)作为选通门，以减小共享测试的面积开销；采用两级电压比较器放大测试TSV和参考电容的电压差，可以检测大于等于50 Ω的电阻性开路缺陷和小于等于9 MΩ的泄漏缺陷。 与其他方案对比，该方案具有电阻性开路缺陷检测精度高、最小的测试面积和时间开销的优点。

关键词：集成芯片, 硅通孔, 键合前测试, 比较器

基金资助：国家自然科学基金(62027815, 62174048, 62274052)，安徽省研究生教育教学改革研究重点项目(2022jyjxggyj053)，教育部产学研合作协同育人项目(220802455302758)