一种用于微波组件的超宽带键合丝射频特性补偿芯片及电路设计

来源：电子与信息学报杂志2025年第11期北京时间：

作者：孔伟东, 闫鹏伊, 路少鹏, 王乔楠, 邓世雄, 林朋, 王琮, 杨国辉, 张狂

单位：1.哈尔滨工业大学电子与信息工程学院 哈尔滨 1500012.中国电子科技集团公司第十三研究所 石家庄 050051

摘要：该文提出一种利用π型电路结构提升键合金丝补偿网络匹配带宽的方法，并设计了π型电路结构的砷化镓芯片，该结构极大提升了微波组件中跨深缝隙键合互联结构传输性能。与传统的50 Ω芯片的仿真结果相比，实现将跨深缝隙互联结构匹配带宽(S11≥15 dB)从20 GHz拓宽到了40 GHz。实测数据表明，该文提出的芯片及电路结构在DC～40 GHz宽频带范围内回波损耗≥17 dB，插入损耗≤0.7 dB，具有优异的射频传输性能。此外，此芯片和电路结构应用场景可拓展到任意单片微波集成电路(MMIC)与电路板互联结构中，应用频率可拓展到W波段的射频芯片键合互联结构。该文提出的芯片及电路互联结构射频性能优异，加工成本低，可靠性高，适用于高可靠微波产品。

关键词：组件, 跨深缝隙过渡, 超宽带, 键合丝, 匹配结构, 单片微波集成电路

基金资助：国家自然科学基金(U23B2014)