深亚微米工艺下SoC多点温度低功耗测试调度方法

来源：电子测量技术杂志2015年第7期北京时间：

作者：焦铬

单位：1.湖南交通工程学院电气与信息工程系衡阳421001;2.衡阳师范学院计算机科学系衡阳421002

摘要：在深亚微米技术实现的片上系统中，为了解决由于制程变异引起的温度不确定性，提出了一种多点温度测量的SoC低功耗测试调度方法。该方法采取在芯片中内建多个温度传感器，通过内建的温度传感器来感应温度，在SoC的核心部位进行多点采集，取温度的最高值反馈到控制系统，进行温度的调节控制。在测试过程中，在温度、功耗和总线带宽都满足条件的情况下进行调度，避免出现由制程变异引起的芯片局部过热的现象。在ITC’02基准电路上的实验结果表明，与文献［2］比较，该方法在保证芯片热安全的同时，使CPU使用时间平均多减少10.33%，使测试应用时间平均多减少11.14%。

关键词：深亚微米工艺;多点温度;片上系统;低功耗测试调度