基于国产InGaAs/InP APD的高速单光子探测

来源：电子测量技术杂志2017年第6期北京时间：

作者：白郭敏

单位：上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海200093

摘要：InGaAs/InP雪崩光电二极管 (InGaAs/InP APD)是近红外单光子探测器的核心器件之一，其国产化已成为趋势。InGaAs/InP APD工作于1.25 GHz门控盖革模式下，由于APD本身的电容特性，单光子触发产生的雪崩电信号被尖峰噪声所湮没，采用低通滤波的方法可以将有效雪崩信号从尖峰噪声提取出来。为了探讨国产APD的参数水平，对不同温度不同探测效率下国产 InGaAs/InP APD的暗计数及后脉冲概率，时间抖动性等相关性能参数进行了测量，并与国外数据进行了对比。当国产InGaAs/InP APD工作于-25 ℃，探测效率10 % 时，暗计数可低至 9.9×10-7 /gate，后脉冲仅为1.5 %，这表明在 InGaAs/InP APD这一领域，我国已接近国外水平，但仍有一定的进步空间。

关键词：单光子探测;正弦门;暗计数;后脉冲