RIE反应离子刻蚀氮化硅工艺的研究

来源：电子测量技术杂志2021年第7期北京时间：

作者：关一浩，雷程，梁庭，白悦杭，齐蕾，武学占

单位：1.中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室 太原 030051; 2.北方自动控制技术研究所 太原 030006

摘要：氮化硅在红外热电堆中既充当钝化隔离层又充当红外吸收层，其薄膜刻蚀在MEMS工艺中至关重要。采用RIE-10NR反应离子刻蚀机以SF6为主要刻蚀气体，通过改变氧气流量、射频功率、腔室压强对氮化硅薄膜进行刻蚀实验。通过台阶仪及共聚焦显微镜表征刻蚀形貌、速率及刻蚀均匀性。实验表明：在SF6流量为50sccm，O2流量为10sccm，腔室压强为11Pa，射频功率为250W的条件下，氮化硅刻蚀速率达到509nm/min,非均匀性可达2.4 %；在同样条件下，多晶硅的刻蚀速率达到94.5nm/min,选择比为5.39：1。

关键词：氮化硅;多晶硅;反应离子刻蚀;刻蚀速率;非均匀性