基于FPGA的NAND FLASH纠错编码方案与实现

来源：电子测量技术杂志2021年第15期北京时间：

作者：孙晓磊，王红亮

单位：中北大学电子测试技术国家重点实验室，太原 030051

摘要：为了解决NAND FLASH存储器数据读写过程中产生误码的问题,提出了一种基于FPGA的NAND FLASH纠错编码方案。方案采用Micron公司的MT29F64G08ABAAA存储芯片并由FPGA控制器控制进行数据存储，每64Bytes产生18bits汉明码校验码，将写入FLASH中的汉明码校验码和读取数据时生成的汉明码校验码比较便可确定误码发生的位置，对该数据位进行取反便可对误码进行纠错。测试结果表明，写入和读取8GBytes数据若不采用纠错编码方案则在高低温和常温下测试均存在误码，采用纠错编码方案在20℃、60℃和-40℃环境温度下测试均无误码，实现了对NAND FLASH纠错的功能，提高了数据存储的准确度和稳定性。

关键词：FLASH;汉明码;FPGA;误码;编码;纠错

基金资助：山西省“1331工程”重点学科建设计划(1331KSC)资助