基于故障注入的NOR Flash单粒子效应模拟方法研究

来源：电子测量技术杂志2022年第13期北京时间：

作者：黄姣英，何明瑞，袁伟，高成，王乐群

单位：1. 北京航空航天大学可靠性与系统工程学院，北京 100191;2. 陆军装备部驻北京地区第四军事代表室，北京 100072

摘要：针对目前大容量NOR Flash存储器单粒子效应模拟缺乏具体操作方法的问题，本文提出NOR Flash单粒子翻转、单粒子功能中断、单粒子闭锁三种单粒子效应对应软件故障注入方法，设计适用于大容量器件的板级测试系统并进行功能验证，通过故障注入方法开展单粒子效应模拟实验。NOR Flash存储器单粒子效应测试系统包括FPGA控制逻辑、Flash检测板和上位机软件三部分。结果表明，单粒子翻转、单粒子闭锁和单粒子功能中断三种单粒子效应的软件故障注入方法均通过NOR Flash存储器单粒子效应测试系统得到验证。本文的研究可以为相关单粒子效应模拟提供参考，为分析存储器单粒子效应对电子系统的可靠性影响打下基础。

关键词：NOR Flash;单粒子效应;故障注入;测试系统;模拟方法

基金资助：国家国防科技工业局技术基础科研项目（JSZL2016601B007）