磁控溅射制备AlCrWTaTiNb高熵合金薄膜低温等离子体氮化

来源：大连理工大学学报杂志2019年第1期北京时间：

作者：马铭,任瑛,侯晓多,陈国清,张贵锋

摘要：采用磁控溅射技术沉积了AlCrWTaTiNb多元高熵合金薄膜，在400℃以下采用高密度等离子体设备对沉积的薄膜进行了氮化处理．用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜和纳米压痕对氮化后薄膜的微观结构、表面形貌以及力学性能进行了分析．结果表明，高熵效应有利于降低氮化温度，最低氮化温度仅为200℃，所有的(AlCrWTaTiNb)N薄膜晶体结构呈现简单的FCC结构，且具有(111)择优取向．随着氮化温度的增加，(AlCrWTaTiNb)N复合薄膜的显微硬度、弹性模量和对应的H3/E2均增大，氮化温度为300℃时，达到最大，随后略微下降．随氮化时间的延长，显微硬度和弹性模量均逐渐增加．

关键词：多元高熵合金薄膜低温渗氮力学性能

基金资助：国家国际科技合作专项(2015DFR60370)；航空科学基金资助项目(20153663010).