Ti与Al比例及退火温度对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触影响

来源：大连理工大学学报杂志2020年第2期北京时间：

作者：李冰冰,张贺秋,刘旭阳,刘俊,薛东阳,梁红伟,夏晓川

摘要：利用热蒸发方法制备了Ti/Al金属双层结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)欧姆接触,Ti与Al比例分别为1∶2(20nm/40nm)、1∶5(20nm/100nm)和1∶8(20nm/160nm).采用相同退火时间、不同退火温度对不同的Ti与Al比的AlGaN/GaNHEMT结构进行退火.通过XRD对电极结构进行了分析,利用金相显微镜观察了电极的表面形貌.实验结果显示,相同退火时间条件下,退火温度在800℃,Ti与Al比为1∶5的AlGaN/GaNHEMT结构形成了较好的欧姆接触.

关键词：高电子迁移率晶体管欧姆接触退火比接触电阻率

基金资助：国家自然科学基金资助项目(ZX0180421,ZX20160406,11975257);大连市科技计划资助项目(ZX20180681).