Pd/Pt修饰的AlGaN/GaN HEMT器件氢传感特性研究

来源：大连理工大学学报杂志2021年第5期北京时间：

作者：杨勇强,张贺秋,薛东阳,梁红伟,夏晓川,徐瑞良,梁永凤,韩永坤,陈帅昊

摘要：制备了Pd/Pt修饰的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件．对器件的氢传感特性测试表明，Pd/Pt合金修饰的器件的氢响应和响应(恢复)速率要优于Pd和Pt单独修饰的器件，Pd和Pt质量比为2mg∶1mg的氢传感器具有最佳的氢传感性能．对吸附平衡的稳态分析进一步证实了这一结论．室温下氢体积分数为0.1%，氢气通入流速为200mL/min时，Pd/Pt(2mg∶1mg)样品的电流变化为0.249mA，响应时间和恢复时间分别为41s和42s．此外，测试温度增加到55℃也进一步提高了器件对氢气的响应和响应速率．

关键词：AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管Pd/Pt合金氢传感器氢吸附

基金资助：国家自然科学基金资助项目(119752571167519812075045118750976157402661774072)；中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(DUT20RC(3)042DUT19RC(3)074DUT19LK45)；大连市科技创新基金资助项目(2018J12GX060).