AlGaN/GaN HEMT小信号放大电路设计及放大增益预测

来源：大连理工大学学报杂志2024年第4期北京时间：

作者：叶宇帆,张贺秋,夏晓川,郭文平,黄慧诗,梁晓华,梁红伟

摘要：采用计算机辅助设计技术(TCAD)对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了仿真,并利用Multisim设计了AlGaN/GaNHEMT器件的低频小信号放大电路.由于GaN材料的宽带隙和高载流子迁移率,HEMT器件可以在空间科学应用中取代Si基MOSFET.TCAD的仿真结果通过与测试结果的比较进行了修正.通过Multisim仿真结果与搭建的AlGaN/GaNHEMT共源共栅放大电路的测试结果对放大电路的放大特性进行了验证.以此为基础,利用TCAD模拟改变了结构参数的器件特性并采用改进了结构参数的AlGaN/GaNHEMT设计共源共栅放大电路.仿真结果表明,该放大电路在低频和室温下的电压放大能力可达6200倍.

关键词：AlGaN/GaNHEMTTCAD仿真放大增益小信号模型

基金资助：国家自然科学基金资助项目(11975257,12075045,11875097,62074146).